Разработан метод создания полупроводников атомного уровня

Разработан метод создания полупроводников атомного уровня
Изображение с сайта www.ostec-group.ru
Группа исследователей из Университета штата Северная Каролина разработала метод создания высококачественных полупроводниковых тонких пленок атомного уровня.
Данный метод можно использовать для создания тонких пленок с площадью, достаточной для покрытия подложки с шириной 2 дюйма и более, что, по словам исследователей, является очередным этапом на пути уменьшения таких устройств, как светодиоды и транзисторы.
Сначала серу и недорогой полупроводниковый декоративный материал (хлорид молибдена) поместили в печь, постепенно поднимая температуру до 850°C. После вступления двух веществ в реакцию и формирования MoS2, пар отложился тонким слоем на подложке. Исследователи выяснили, что могут точно контролировать толщину слоя MoS2, регулируя парциальное давление и давление пара в печи.
«Используя данный метод, мы можем в любое время создать однослойные тонкие пленки из MoS2 с толщиной в один атом под размер подложки, — сообщил ведущий исследователь д-р Линьоу Као (Linyou Cao). — Также мы можем создавать слои с толщиной в два, три или четыре атома».
Группа Као теперь ищет пути создания аналогичных тонких пленок, каждый атомный слой в которых будет состоять из различных материалов.
Информация с сайта www.ostec-group.ru.