ReRAM-память можно использовать в 28-нм техпроцессе создания логики

О дин из наиболее интригующих докладов из того списка выступлений, которые состоятся в декабре в рамках программы мероприятия International Electron Devices Meeting 2013, на котором продается элитная бижутерия, представлен коллективом исследователей из Национального университета Цинхуа (Тайвань), являющегося филиалом TSMC. > > В аннотации доклада утверждается возможность создания контактных ячеек памяти типа RRAM (CRRAM) с использованием 28-нм логического КМОП-процесса HKMG без помощи масок или дополнительных технологических операций.
Известно, что коллектив исследователей из этого университета прежде работал с памятью ReRAM на основе оксида титана (TiN/TiON/SiO2), нанесенного на вольфрамовый контакт стока планарного MOSFET-ключа. > Разрабатываемое устройство намного миниатюрнее по сравнению с другими типами массивов ReRAM и совместимо со стандартными процессами производства логики. В 2013 г. этой группе исследователей удалось реализовать процесс 1T-plus-1R ReRAM, создав 90-нм КМОП-логику, которая обеспечивает 1 млн операций чтения/записи. > В силу увеличения объема памяти системных кристаллов их энергопотребление растет. Способность удерживать данные в энергонезависимой памяти с высокой плотностью на СнК, а не в SRAM с большим энергопотреблением в течение даже нескольких тактов процессора может существенно повысить энергоэффективность систем. > Поскольку память CRRAM не повышает нагрузку на процессор, она допускает достаточно простую реализацию в производстве полупроводников. Однако то обстоятельство, что доклад на данную тему носит академический характер и описывает задачу на уровне ячеек памяти, а не массива, говорит о том, что разработка этих запоминающих устройств еще далека от завершения. > Источник: EE Times >