Ван ден Хов заявил, что литография глубокого ультрафиолета не готова к 14 нм

По словам Ван ден Хова, который в ближайшем времени решил заняться очисткой воды от железа, настал момент, когда необходимо определяться с методами литографии для 14 нм, и совершено очевидно, что итография глубокого ультрафиолета (ЛГУ, EUV) пока не достаточно отработана для этих целей.
Люк ван ден Хов (Luc van den Hove), президент IMEC
Одним из возможных вариантов на 14 нм является тройное экспонирование на существующих литографических установках, но это приведет к увеличению стоимости пластины на 90% по сравнению с 28 нм.
Применение ЛГУ привело бы к увеличению стоимости всего на 60%, но данный метод возможно будет реализовать только к 2014 году, и даже тогда только для ограниченного коммерческого использования.
Процесс тройного экспонирования настолько сложен, что для того чтобы достичь удовлетворительного результата, следует пересмотреть правила проектирования для 14 нм.
«За последние 40 лет удвоение плотности транзисторов каждые 14 месяцев с сокращением площади на 50% двигало вперед полупроводниковую промышленность, заявил Ван ден Хов. На опытных установках ЛГУ удалось получить рисунок на 16 нм экспонированием в один этап и добиться точности наложения в 2 нм. В процессе совершенствования ЛГУ возникает масса проблем, связанных как с оборудованием, так и с технологией, и в настоящее время проводится много работ для разработки установок с достаточной для процесса мощностью».
Основная проблема возникает именно с источниками излучения нужной мощности. Стабильными пока получаются установки мощностью 2030 Вт, достаточным будет добиться 100 Вт, а для достижения производительности 60120 пластин в час необходимо оборудование мощностью 125250 Вт.
Как заявил Ван ден Хов, возможность масштабирования процесса ниже 10 нм открывает перспективы для революционного продвижения на рынок резистивной памяти RAM, преимуществами которой являются высокая скорость, превосходная масштабируемость, совместимость с КМОП-технологией, а также, по сравнению с широко используемой в настоящее время NAND памятью, более высокая надежность.