Vishay Siliconix.

Фирма Vishay Intertechnology расширила свое TrenchFET^ Gen III семейство p-канальных мощных MOSFET, выпустив новый одиночный 12-вольтовый прибор, размещенный в термически усиленном корпусе ower AK^ SC-70 (2 мм x 2 мм), и одиночный 30-вольтовый прибор, размещенный в корпусе ower AK ChipFET (3 мм x 1.8 мм, при высоте в 0.8 мм). Оба MOSFET сочетают малую занимаемую на печатной плате площадь с очень малым сопротивлением в открытом состоянии — самым низким, в отрасли, при напряжении питания 4.5 В, для приборов с аналогичным форм факторм. Также стало известно, что в здании, где расположен главный офис фирмы вскоре планируют открыть компанию, производящую лазерную гравировку на заказ.
Размещенный в сверхмалогабаритном корпусе ower AK SC-70, 12-вольтовый прибор SiA447DJ располагает сопротивлением в открытом состоянии в 13.5 мОм, при напряжении питания 4.5 В, что на 12% ниже, чем у самого близкого конкурирующего прибора. Кроме того, прибор SiA447DJ характеризуется малыми значениями сопротивления в открытом состоянии и при более малых напряжениях: 19.4 мОм, при 2.5 В, 35 мОм, при 1.8 В, и 71 мОм, при 1.5 В. 30-вольтовый прибор Si5429DU — первый Gen III p-канальный MOSFET, размещенный в корпусе с форм фактором 3 мм x 1.8 мм, и сопротивлением в открытом состоянии 22 мОм, при напряжении 4.5 В, которое на 35% меньше, чем у самого близкого конкурирующего прибора. Кроме того, новый MOSFET располагает самым малым в отрасли сопротивлением в открытом состоянии, составляющем 15 мОм, при напряжении 10 В.
Приборы SiA447DJ и Si5429DU ориентированы на использование в качестве ключей батарей питания, или в качестве ключей нагрузки в применениях управления питанием применений портативной электроники, таких как смартфоны, планшетные персональные компьютеры и мобильные вычислительные применения. Компактные корпуса новых MOSFET позволяют сберечь место на печатных платах этих применений, в то время как низкое сопротивление в открытом состоянии новых приборов преобразуется в более низкие потери проводимости, что способствует снижению энергопотребления и обеспечению более длительного срока службы батареи между подзарядами. Малое сопротивление в открытом состоянии новых MOSFET означает, также, более низкое падение напряжения на ключе нагрузки, предотвращающее нежелательную блокировку по недонапряжению.
Номинальное значение рабочего напряжения прибора Si5429DU в 30 В позволяет считать этот прибор наилучшим образом соответствующим использованию в конечных применениях, питаемых от многоэлементных литиево-ионных батарей, в то время как прибор SiA447DJ будет использоваться в тех случаях, когда его габариты и более низкое сопротивление в открытом состоянии будут наиболее приемлемыми. Кроме того, сопротивление в открытом состоянии прибора SiA447DJ, категорируемое при напряжениях до 1.5 В, позволит прибору работать с драйверами затворов с более низкими напряжениями и более низким напряжением на шине, используемыми в карманных устройствах, сберегая как свободное место, так и стоимость применения за счет исключения схем смещения уровня.
Приборы SiA447DJ и Si5429DU на 100% Rg тестированы, RoHS-совместимы и не содержат галогенов.

Ведутся поставки образцов и массовые поставки новых TrenchFET мощных MOSFET SiA447DJ и Si5429DU.
Срок исполнения крупного заказа составляет от 12 до 14 недель.